LEEM-8 eksperimentelt apparat med magnetoresistiv effekt

Bemærk: oscilloskop ikke inkluderet

Enheden er enkel i struktur og rig på indhold. Det bruger to slags sensorer: GaAs Hall-sensor til at måle den magnetiske induktionsintensitet og til at studere modstanden hos InSb magnetoresistance-sensor under forskellige magnetiske induktionsintensiteter. Studerende kan observere Hall-effekten og magnetoresistance-effekten af ​​halvleder, som er karakteriseret ved forsknings- og designeksperimenter.

Eksperimenter

1. Undersøg modstandsændringen af ​​en InSb-sensor i forhold til den anvendte magnetfeltintensitet; find den empiriske formel.

2. Plot InSb-sensormodstand mod magnetfeltintensitet.

3. Undersøg AC-karakteristika for en InSb-sensor under et svagt magnetfelt (frekvensdoblingseffekt).

specifikationer