LEEM-10A eksperimentelt apparat til måling af PN-forbindelsens egenskaber

Kort beskrivelse:

Indledning

De fysiske egenskaber ved halvleder-PN-overgange er et af de vigtige grundlæggende indholdsstoffer i fysik og elektronik. Dette apparat bruger den fysiske eksperimentmetode til at måle forholdet mellem diffusionsstrømmen i PN-overgangen og spændingen, beviser, at denne relation følger den eksponentielle fordelingslov, og måler Boltzmanns konstant (en af de vigtige konstanter i fysik) mere præcist, hvilket gør det muligt for de studerende at lære en ny metode til at måle svag strøm. Dette apparat har en varmevekslende temperaturtermostat til at måle forholdet mellem PN-overgangsspænding og termodynamisk temperatur T for at opnå sensorens følsomhed og tilnærme sig energigabet for siliciummateriale ved 0K. Dette apparat er stabilt og pålideligt og har et rigeligt indhold af fysiske eksperimenter, et klart koncept, et rimeligt strukturelt design og måleresultater med høj nøjagtighed. Dette apparat bruges hovedsageligt i generelle fysiske eksperimenter og designforskningseksperimenter på gymnasier og universiteter.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produktmærker

Eksperimenter

1. Forholdet mellem PN-overgangens diffusionsstrøm og overgangsspændingen måles, og det skal bevises, at denne sammenhæng følger den eksponentielle fordelingslov gennem databehandling;

2. Boltzmann-konstanten måles mere præcist (fejlen skal være mindre end 2%);

3. Lær at bruge en operationsforstærker til at danne en strøm-spændingsomformer for at måle den svage strøm fra 10^-6A til 10^-8A;

4. Forholdet mellem PN-overgangsspænding og temperatur måles, og overgangsspændingens følsomhed i forhold til temperaturen beregnes;

5. Beregn en tilnærmelsesværdi for at beregne energigabet for halvledermaterialet (silicium) ved 0K.

Tekniske indekser

1. DC-strømforsyning

En justerbar 0-1,5V DC strømforsyning;

En justerbar 1mA-3mA DC strømforsyning.

2. LCD-målemodul

LCD-opløsningsforhold: 128 × 64 pixels

To digitale indikatorer for spænding. Område: 0-4095mV, Opløsningsforhold: 1mV.

Område: 0-40,95V, Opløsningsforhold: 0,01V